原標題：“破曉”比傳統閃存快一百萬倍！全球最快半導體電荷存儲技術發布

複旦大學集成芯片與係統全國重點實驗室、芯片與係統前沿技術研究院科研團隊日前發布一項半導體電荷存儲技術，每秒可執行25億次操作，這是迄今為止全球最快的半導體電荷存儲技術。這一成果已在國際知名學術期刊《自然》發表。

“破曉”每秒可執行25億次操作

複旦大學科研團隊將這個存儲器命名為“破曉”，隻有1平方厘米大小，外觀和普通存儲器別無二致，然而它通過創新的物理機製，將存儲器擦寫速度提升到400皮秒實現一次擦或者寫，一皮秒隻相當於一萬億分之一秒。“破曉”這個速度相當於每秒可執行25億次操作，比傳統閃存快一百萬倍。

複旦大學集成芯片與係統全國重點實驗室研究員劉春森：這一速度的提升是極具突破性的，完全打破了現有的存儲技術框架的理論瓶頸。

據介紹，團隊科研人員提出了全新的提速思路，這一創新不僅實現了速度上的巨大突破，而且這種新型存儲器在掉電的情況下，數據也不會丟失。