眨眼間能完成10億次存儲 上海科研團隊研製出超高速閃存

記者從上海市科委獲悉，集成芯片與係統全國重點實驗室周鵬-劉春森團隊通過構建準二維泊鬆模型在理論上，預測了超注入現象打破了現有存儲速度的理論極限研製“破曉（PoX）”皮秒閃存器件。其擦寫速度可提升至亞1納秒。400皮秒相當於每秒可執行25億次操作，是迄今為止世界上最快的半導體電荷存儲技術。相關成果以《亞納秒超注入閃存》為題於北京時間4月16日晚間在《自然》（Nature）期刊上發表。

AI時代，大數據的高速存儲至關重要。如何突破信息存儲速度極限，一直是集成電路領域最核心的基礎性問題之一，也是製約AI算力上限的關鍵技術瓶頸。要實現大數據的高速存儲，意味著與之匹配的存儲器必須是在存儲速度、能耗、容量上均表現優異的“六邊形戰士”。

然而，既有存儲器的速度分級架構形如一座金字塔——位於塔上層的易失性存儲器（如SRAM、DRAM）擁有納秒級的高速存儲，但其存儲容量小、功耗大、製造成本高、斷電後數據會丟失；而位於塔底的非易失性存儲器（如閃存）則恰恰相反，雖克服了前者的種種劣勢，但唯一的美中不足，便是百微秒級的存取速度不及前者十萬分之一，遑論滿足AI的計算需求。

既然閃存除了速度都是優點，有沒有可能補齊它的速度短板？為此，周鵬-劉春森團隊開展攻關，試圖重新定義存儲的邊界，找到一種“完美”的存儲器。