近期有關任天堂 Switch 2 的技術細節逐漸浮出水麵，其中引人注目的是可能采用三星第五代 V-NAND 存儲技術。最新研究結果表明，這將是一項重大進步。據來自 YouTube 上的 Doctre81 分享的最新視頻報道，在一位曾在三星電子任職至 2019 年的前高級總監的 LinkedIn 頁麵上，列出了他的職責和主要資曆，包括領導開發一款用於未指定任天堂遊戲卡帶的 NAND 閃存控製器設備。

這位前三星員工在主要成就中還列出了由三星存儲器第五代 V-NAND 閃存驅動的安全增強型 eMMC 卡的開發。這與用於未指定任天堂遊戲卡帶的 NAND 閃存控製器設備相吻合，同時還符合其他信息，例如創新的未指定專有硬件的安全性和設計新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。

任天堂 Switch 2 需要更快的讀取速度並不足為奇，但使用三星第五代 V-NAND 仍然是一個令人欣喜的消息。盡管與三星即將推出的第九代和第十代 V-NAND 相比，這被認為是過時的技術，但根據今天的標準，第五代產品的速度高達每秒 1.4 GB 仍然足夠滿足任天堂的遊戲需求，至少比前一代產品有了顯著提升。

關於 Nintendo Switch 2 的細節目前所知甚少，但已確認將再次采用 NVIDIA 硬件。據說，T239 芯片將支持英偉達的 DLSS 和光線重構等功能。

這些技術進步使得人們對任天堂 Switch 2 的性能有了更高的期望，尤其是在遊戲體驗方麵。隨著信息逐步披露，我們期待著更多關於這款遊戲機的詳細信息。